Samsung, EUV teknolojisini DRAM üretimine ilk kez uyguluyor

ZDnet'e göre Samsung, DRAM üretimine EUV teknolojisini başarıyla uyguladığını açıkladı.

Samsung, EUV süreci kullanılarak üretilen 1 milyon 10nm DDR4 DRAM modülünü sevk etti ve müşteriler tarafından değerlendirildi. Samsung, değerlendirmenin tamamlanmasının önümüzdeki yıl yeni DRAM'ların seri üretimine yol açacağını söyledi.

Samsung'un Pyeongtaek tesisinde sadece EUV V2 üretim hattı, yılın ikinci yarısında DRAM modüllerinin üretimine başlayacak. Üretim hattının 4. nesil 10nm DDR5 ve LPDDR5 üretmesi bekleniyor.

Bu, EUV teknolojisini kullanan 7nm mantık yongalarına ek olarak Pyeongtaek tesisi tarafından üretilen bir başka yonga. Samsung, EUV teknolojisinin tek bir 12 inçlik gofretin üretim verimliliğini iki katına çıkaracağını iddia ediyor.

Samsung, Intel ve TSMC gibi küresel yarı iletken üreticilerinin çip üretiminde EUV teknolojisinin kullanımını genişletmesi bekleniyor. Samsung daha önce EUV teknolojisini 3 nm yongalar üretmek için kullanmayı planladığını belirtmişti.